1980年左右，中科院半導體所開始研制JK-1型半自動接近式光刻機，于1981年研制成功兩臺樣機。

        而由于美國在50年代就已經擁有了接觸式光刻機，相比之下，中國落后了將近20年，同時國外從1978年開始轉向分步重復投影光刻，此時中國科學界也認識到，分布投影光刻技術的優越性，但限于國內工業技術差難以實現。

        在1978年世界上第1臺DSW光刻機問世不久，機電部第45所，就開始跟蹤研究分步式光刻機，對標美國的4800DSW，1985年研制出了BG-101分部光刻機樣機，并通過電子部技術鑒定，認為達到了美國同類產品水平，而當時采用的是436納米G線光源。

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        這也就意味著1985年的時候，中國在高科技領域與國外的差距拉近到了7年左右，也就是達到了美國1978年的水平。

        可以看出國產光刻機。研發在上世紀70年代后期起不直到80年代，后期技術一直在推進，并且取得了一定的代表性成果。

        然而到了80年代中后期，中國卻因為技術封鎖以及買辦思想盛行，造成了光刻機的落后。

        當時的巴統協議不批準向中國出售先進的設備，國外工藝線已用0.5微米的設備時，卻只對我國出口1.5微米的設備，整整差了三代，此外8組還規定對我國出口的光刻機鏡頭na必須小于0.17，既只能有二微米以上的分辨率。

        所以說目前段云從日本東芝引進的三微米芯片制程生產線，是正好符合巴統協議要求的，而目前日本最先進的0.9微米制程的芯片生產線，是巴統協議嚴格禁止對中國出口的。

        段云如果想制作出一微米制程的芯片，目前是不可能從國外直接買到現成設備的，只能靠國內研發。

        因為買辦思想的盛行，當時中國的光刻機雖然技術領先，但是也遇到很多的問題，因為搞研發就需要有很多的資金投入，但這些資金投入之后，有一些技術上的問題，在當時又不能夠很好的解決，因此看到國外很多先進的設備之后，國家也就放棄了，對設備的研發變成了購買。

        這樣最終就導致了中國的光刻機研發上完全停滯，很多搞光刻機研發公司因為沒有資金的支持就變得岌岌可危，最后公司也倒閉破產。

        段云如果想制作出世界領先的NAND閃存芯片，并且在閃存芯片領域保持長期的優勢地位，那就必須要有更先進的光刻機。

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