對(duì)于可控核聚變技術(shù)來(lái)說(shuō)，用氦三與氫氣進(jìn)行模擬高密度等離子體運(yùn)行實(shí)驗(yàn)，與直接使用氘氚原料進(jìn)行點(diǎn)火運(yùn)行，是完全兩碼不同的事情。

        事實(shí)上，拋開(kāi)慣性約束這種模彷氫彈爆炸的路線來(lái)說(shuō)，在磁約束這條路線上，真正做過(guò)點(diǎn)火運(yùn)行實(shí)驗(yàn)的國(guó)家和裝置，幾乎屈指可數(shù)。

        前者對(duì)于實(shí)驗(yàn)裝置的要求并不算很高，能形成磁場(chǎng)約束，做到讓高溫等離子體流在反應(yīng)堆腔室中運(yùn)行就夠了。

        氦三與氫氣在高溫的情況下，盡管能模擬出高密度等離子體的運(yùn)行狀態(tài)，但終究還是和氘氚原料聚變點(diǎn)火有區(qū)別的。

        氦三和氫氣在反應(yīng)堆腔室中運(yùn)行時(shí)，并不會(huì)真正的產(chǎn)生聚變現(xiàn)象，這就是最大的區(qū)別。

        每一顆氘原子和氚原子在聚變時(shí)，都會(huì)釋放出龐大的能量與中子，這些都會(huì)對(duì)等反應(yīng)堆腔室中運(yùn)行的高溫等離子體造成影響。

        除此之外，聚變過(guò)程中釋放的中子束還會(huì)脫離約束磁場(chǎng)的束縛，對(duì)第一壁材料造成極為嚴(yán)重的破損。

        這是氘氚聚變過(guò)程中必然會(huì)發(fā)生的事情。

        中子無(wú)法被磁場(chǎng)束縛，這是物理界的常識(shí)。

        如果真的有人能做到約束中子，整個(gè)理論物理界甚至是整個(gè)物理界都得跪下來(lái)求他指導(dǎo)前進(jìn)的方向。

        氘氚聚變產(chǎn)生的中子輻照，是整個(gè)可控核聚變中最難解決的問(wèn)題之一。

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